高密度・高機能半導体パッケージ向け微細パターン・フリップチップ実装基板
5G・小型通信機器・サーバー・FC-BGAなどに求められる高密度・高機能半導体パッケージ、当社はサブトラ法の独自技術により、低コストでの高密度回路形成が可能。コンタクト式露光に加えダイレクトイメージング(DI)露光を用いて、さらなる高密度・高精度な回路形成を実現。独自工法により多層版も反りが少なく、大型の基板もフラットにすることができます。
デザインルール
項目 | ファイン(ダイレクト露光) | ファイン(コンタクト式露光) | 通常 |
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パターン位置精度(対スルーホール) | ±10μ | ±35μ | ±50μ |
レジスト位置精度(対パターン) | ±30μ | ±50μ | ±75μ |