ビルドアップ基板
レーザービアによる層間接続技術を用いた基板です。貫通穴の制約が少ないため、回路密度を大幅に上げることができ、高多層化により小型化、薄物化が可能となります。
IVHやBVHと組み合わせることで、信頼性を損なわず高密度化を実現できます。
![](https://www.nihon-micron.co.jp/wp-content/uploads/2018/07/product_buildup.png)
主な用途
通信機器、携帯端末機器、計測器
関連技術・工法
キャビティ基板
基板平面上の一部にキャビティ構造を持った基板です。キャビティへの部品実装が可能であり、コンパクト化や高周波特性の向上が可能となります。
従来のセラミックス基板からの置き換えも可能です。
![](https://www.nihon-micron.co.jp/wp-content/uploads/2018/07/product_cavity.png)
主な用途
センサー、パワーアンプ、半導体パッケージ
関連技術・工法
部品内蔵基板
基板内部に部品を内蔵し、積層することで信頼性の高い製品を製造できます。
また別に、高密度化ニーズに対応し、多層構造の内層部に受動部品を内蔵することも可能です。
![](https://www.nihon-micron.co.jp/wp-content/uploads/2018/08/product_internal.jpg)
主な用途
高周波部品