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半導体パッケージ(EBGA)

半導体パッケージ(EBGA)


当社独自の内層削り出し技術、微細パターン形成技術、無電解金めっき技術により、小型化・高密度化に対応します。



特長


当社独自の内層削り出し技術により、立体的なキャビティ構造のパッケージを製作します。セラミック基板のキャビティ構造をそのままガラエポ基板に置き換えることも可能です。



削り出した内層に機能部品を実装することにより部品内蔵が可能です。信号伝播距離が短くできますので、高速処理に有効です。



ビルドアップとの組み合わせにより、基板表面を実装面として使用できます。



熱伝導性に優れた金属製ヒートスプレッダーを貼り合わせ、高速処理用パッケージを製作します




構造例



多層キャビティの高密度形成

内層削り出し技術(弊社特許技術)により、多層キャビティの高密度形成を実現し、ボンディングワイヤ長を極限まで短くする事を可能としています。



※弊社工法では接着シートによるにじみ(上図、緑部分)が生じないため、ボンディングワイヤ密着度の信頼性も高くなっております。






高速処理性能向上

IC搭載の反対面にキャビティを形成し、ディカップリングコンデンサーを搭載することにより、コンデンサーからICジャンクションの距離を短くし、インダクタンスを低減して高速処理を可能にします。



高速処理基板









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